Солнечные батареи на основе гетероперехода CdTe/CdS, обладают высокой стабильностью характеристик, радиационной устойчивостью, низким удельным весом. Стадия разработки УГТ 4 – Апробация макета в лабораторных условиях Ключевые слова: Солнечная энергетика Наличие результатов интеллектуальной деятельности Патент Ru 2673294 «Способ металлизации полиимидной пленки» Краткое описание Гибкие солнечные элементы на основе теллурида кадмия, как и «классические» батареи на основе кристаллического кремния обладают высокой радиационной устойчивостью, что важно для Преимущества: Малый удельный вес, гибкость, стабильность характеристик, Области применения: Строительная фотовольтаика (BIPV), космическая сфера Контакты: |
Солнечные батареи на основе гетероперехода CdTe/CdS, обладают высокой стабильностью характеристик, радиационной устойчивостью, низким удельным весом.
Стадия разработки УГТ 4 – Апробация макета в лабораторных условиях
Ключевые слова: Солнечная энергетика
Наличие результатов интеллектуальной деятельности
Патент Ru 2673294 «Способ металлизации полиимидной пленки»
Краткое описание
Гибкие солнечные элементы на основе теллурида кадмия, как и «классические» батареи на основе кристаллического кремния обладают высокой радиационной устойчивостью, что важно для
их космического применения. Однако сборка на гибкой основе позволяет значительно снизить удельный вес батареи по сравнению с устройствами на основе моно- и микрокристаллического кремния. При этом КПД солнечной батареи на основе гетероперехода CdTe/CdS мало меняется в
процессе эксплуатации по сравнению с батареями на основе аморфного кремния или перовскитов. Кроме того, высококачественные пленки теллурида кадмия можно получать сравнительно простым методом вакуумной сублимации в замкнутом объеме (CSS), что делает данную технологию
масштабируемой.
Преимущества: Малый удельный вес, гибкость, стабильность характеристик,
высокая удельная мощность
Области применения: Строительная фотовольтаика (BIPV), космическая сфера
Контакты:
Голосов Евгений Витальевич
зам. директора, к.ф.-м.н.
Тел +7 496 522-16-02
E-mail: golosov@icp.ac.ru