Разработка и микротоннажное производство литографических материалов на базе ФИЦ ПХФ и МХ РАН
На площадке ФИЦ ПХФ и МХ РАН – крупнейшего материаловедческого центра Российской академии и опорной научной организации по литографическим материалам для существующих и новых технологий – планируется создать первый в России ЦЕНТР МАЛОТОННАЖНОЙ ХИМИИ (ЦМХ)

Общая площадь: 2 530,9 м² (после реконструкции).
Площадь чистых производственных помещений: ~1000 м² (классы ИСО 5-8).
| 2,7 млрд руб. – инвестиции | > 40 – новых рабочих мест | 1 млрд руб./год – плановый оборот к 2033 г. |
Материалы для микроэлектронной промышленности, разработанные в ФИЦ ПХФ и МХ РАН
Поверхностно-активное вещество (Иринол-25)

Поверхностно-активное вещество применяют для изготовления безметального проявителя, на основе тетраметиламмоний гидроксида (ТМАГ), применяемого в процессе фотолитографии.
| Наименование параметра, единица измерения | Норма показателя |
| 1 Массовая доля воды, % масс., не более | 0,5 |
| 2 Массовая доля элементов, % масс. (ppb), не более: – алюминий (Al) – кальций (Са) – натрий (Na) – медь (Cu) – железо (Fe) – магний (Mg) – марганец (Mn) – калий (К) – литий (Li) – цинк (Zn) | 200,0·10-7 (200,0) 200,0·10-7 (200,0) 200,0·10-7 (200,0) 200,0·10-7 (200,0) 200,0·10-7 (200,0) 200,0·10-7 (200,0) 200,0·10-7 (200,0) 200,0·10-7 (200,0) 200,0·10-7 (200,0) 200,0·10-7 (200,0) |
| 3 Динамическое поверхностное натяжение раствора ПАВ в ТМАГ (0,26111±0,0005 моль/л), мН/м | 45,0 – 58,0 |
| 4 Статическое поверхностное натяжение раствора ПАВ в ТМАГ (0,26111±0,0005 моль/л), мН/м | 31,0 – 39,0 |
| 5 Плотность, г/мл | 1,028 – 1,020 |
| 6 Динамическая вязкость, Па·с | 0,12 – 0,55 |
Герметизирующий материал Г-001 (разработано совместно с АО “Институт пластмасс им. Г.С. Петрова”)

Материал применяют для герметизации микросхем методом литьевого прессования
| Наименование показателя | Значение показателя |
| 1 Внешний вид и цвет | Таблетки от темно-серого до черного |
| 2 Диаметр таблеток, мм | 14,0 ± 0,2 |
| 3 Масса таблеток, г | 4,3 ± 0,1 |
| 4 Время затвердевания (гелеобразования), с | 20 – 45 |
| 5 Модуль упругости при изгибе, ГПа | 18,0 – 27,0 |
| 6 Спиральный поток, (текучесть по спирали), см | 100 – 190 |
| 7 Температура стеклования, оС | 125 – 135 |
| 8 Содержание наполнителя (массовая доля), % не менее | 85 |
Заливочный материал З-001 (разработано совместно с АО “Институт пластмасс им. Г.С. Петрова”)

Заливочный материал применяют для заливки пространства между кристаллом и подложкой высокопроизводительных микросхем в многовыводных полимерных корпусах типа FC-ВGA
| Наименование показателя | Значение показателя |
| 1 Внешний вид и цвет | Вязкая смола черного цвета |
| 2 Содержание (массовая доля) наполнителя, % | 60 – 70 |
| 3 Время гелеобразования при температуре 150 °С, мин | 4 – 16 |
| 4 Изгибающее напряжение при разрушении, МПа | 140 – 150 |
| 5 Динамическая вязкость при температуре 25°С, Па·с | 15 – 60 |
Смазывающий материал С-001 (разработано совместно с АО “Институт пластмасс им. Г.С. Петрова”)

Материал применяется для смазки формообразующей оснастки в технологии корпусирования микросхем в многовыводные корпуса.
| Наименование показателя | Норма |
| 1 Внешний вид и цвет | Однородная таблетка серого цвета без сгустков смолы и посторонних включений |
| 2 Спиральный поток при 175 оС, см | 100-180 |
| 3. Давление при опрессовке, кг/см2 | 70-150 |
| 4. Температура опрессовки, оС | 150-190 |
Очищающий материал (O-001)

Материал очищающий предназначен для удаления стойких поверхностных загрязнений с формообразующей оснастки. Материал имеет важную функцию по растворению и удалению смол, смазки, масел, силикона и других наслоений загрязняющего вещества, которые могут повредить формованным деталям и повлиять на срок службы пресс-формы.
| Наименование показателя | Норма |
| 1 Внешний вид и цвет | Однородная таблетка белого цвета без сгустков смолы и посторонних включений |
| 2 Спиральный поток при 175 ˚С, см | 60-110 |
| 3 Время затвердевания (гелеобразования), с | 30-120 |
Фотогенераторы кислоты для фоторезистов с химическим усилением

Материалы для микроэлектронной промышленности, разработанные в ФИЦ ПХФ и МХ РАН
| № п/п | Наименование параметра, единица измерения | NBD-Tf | bMeOPh-S-Nf | btBuPh-I-Nf |
| (1,3-диоксо-1,3,3a,4,7,7a-гексагидро-2H-4,7-метаноизоиндол-2-ил трифторметансульфонат) | (Бис(4-метоксифенил)(фенил)сульфоний нонафлат) | (Бис(4-(трет-бутил)фенил)йодонийнонафлат) | ||
| 1 | Внешний вид | Бесцветные кристаллы без запаха | Бесцветные кристаллы без запаха | Бесцветные кристаллы без запаха |
| 2 | Максимальное светопоглощение в диапазоне, нм | 225-250 нм | 225-275 нм | 230-250 нм |
| 3 | Коэффициент экстинкции в основной полосе поглощения | >10E4 | >10E4 | >10E4 |
| 4 | Чистота, жидкостная хроматография, ЯМР | Не менее 98% | Не менее 99% | Не менее 99% |
| 5 | Температура плавления | 90-92°C | n/a | 175-177°C |
Разработка и микротоннажное производство литографических материалов на базе ФИЦ ПХФ и МХ РАННа площадке ФИЦ ПХФ и МХ РАН – крупнейшего материаловедческого центра Российской академии и опорной научной организации по литографическим материалам для существующих и новых технологий – планируется создать первый в России ЦЕНТР МАЛОТОННАЖНОЙ ХИМИИ (ЦМХ) ![]() Общая площадь: 2 530,9 м² (после реконструкции). Площадь чистых производственных помещений: ~1000 м² (классы ИСО 5-8).
Материалы для микроэлектронной промышленности, разработанные в ФИЦ ПХФ и МХ РАНПоверхностно-активное вещество (Иринол-25) ![]() Поверхностно-активное вещество применяют для изготовления безметального проявителя, на основе тетраметиламмоний гидроксида (ТМАГ), применяемого в процессе фотолитографии.
Герметизирующий материал Г-001 (разработано совместно с АО “Институт пластмасс им. Г.С. Петрова”) ![]() Материал применяют для герметизации микросхем методом литьевого прессования
Заливочный материал З-001 (разработано совместно с АО “Институт пластмасс им. Г.С. Петрова”) ![]() Заливочный материал применяют для заливки пространства между кристаллом и подложкой высокопроизводительных микросхем в многовыводных полимерных корпусах типа FC-ВGA
Смазывающий материал С-001 (разработано совместно с АО “Институт пластмасс им. Г.С. Петрова”) ![]() Материал применяется для смазки формообразующей оснастки в технологии корпусирования микросхем в многовыводные корпуса.
Очищающий материал (O-001) ![]() Материал очищающий предназначен для удаления стойких поверхностных загрязнений с формообразующей оснастки. Материал имеет важную функцию по растворению и удалению смол, смазки, масел, силикона и других наслоений загрязняющего вещества, которые могут повредить формованным деталям и повлиять на срок службы пресс-формы.
Фотогенераторы кислоты для фоторезистов с химическим усилением ![]() Материалы для микроэлектронной промышленности, разработанные в ФИЦ ПХФ и МХ РАН
|
