office@icp.ac.ru
+7 496 522-51-64
Иринол-25
Поверхностно-активное вещество для литографических материалов
Применение
Для изготовления безметального проявителя на основе тетраметиламмоний гидроксида (ТМАГ), фоторезистов и антиотражающих покрытий, применяемых в процессах фотолитографии.
Характеристики
| Показатель, ед. изм. | Норма |
|---|---|
| Массовая доля воды, % масс., не более | 0,5 |
| Массовая доля по каждому из элементов (Al, Ca, Na, Cu, Fe, Mg, Mn, K, Li, Zn), ppb, не более | 50,0 |
| Динамическое поверхностное натяжение раствора ПАВ в ТМАГ (0,26111±0,0005 моль/л), мН/м | 45,0–58,0 |
| Статическое поверхностное натяжение раствора ПАВ в ТМАГ (0,26111±0,0005 моль/л), мН/м | 31,0–39,0 |
Мономеры
для полимерных основ фоторезистов с химическим усилением
Применение
Изготовление полимерных основ отечественных фоторезистов с химическим усилением, использующихся в процессах ArF-фотолитографии.
Характеристики
| Показатель, ед. изм. | 1-этилциклопентилметакрилат | 5-метакрилоилокси-2,6-норборнанкарболактон |
|---|---|---|
| Внешний вид | Бесцветная жидкость | Бесцветная жидкость |
| Максимум светопоглощения, нм | 212±1 | 219±1 |
| Содержание остаточной влаги %, не более | 1,0 | 1,0 |
| Чистота (ГХ) %, не менее | 98,5 | 99,9 |
| Температура плавления, °С | – | 105,9±1 |
Фоторезисты
Материалы для процессов фотолитографии
Применение
Получение в процессе фотолитографии необходимого рисунка (линий, окон и т.п. в слое фоторезиста) для проведения операций легирования, металлизации или травления поверхности обрабатываемого материала.
Характеристики
| Показатель, ед. изм. | Норма |
|---|---|
| Массовая доля воды, % масс., не более | 0,30 |
| Массовая доля по каждому из элементов Al, Ca, Na, Cu, Fe, Mg, Mn, K, Li, Zn, ppb, не более | 10,0-15,0 |
| Счетная концентрация частиц эквивалентным диаметром, шт./см³, не более – более 0,3 мкм – более 0,2 мкм | 15 30 |
| Вязкость, сСт (при 25 °С) | Регулируется |
| Массовая доля сухого остатка, % масс. | Регулируется |
Антиотражающие покрытия
Поглощающее покрытие для процессов фотолитографии
Применение
Поглощающее покрытие, наносимое под плёнку фоторезиста для снижения отражения света от поверхности подложки с целью борьбы с негативными эффектами, вызванными интерференцией (стоячими волнами), рассеянием и переотражением.
Характеристики
| Показатель, ед. изм. | Норма |
|---|---|
| Массовая доля воды, % масс., не более | 0,20 |
| Массовая доля по каждому из элементов Al, Ca, Na, Cu, Fe, Mg, Mn, K, Li, Zn, ppb, не более | 10,0–30,0 |
| Счетная концентрация частиц эквивалентным диаметром, шт./см³, не более ≥ 0,50 мкм ≥ 0,30 мкм ≥ 0,25 мкм | 20 50 100 |
| Вязкость, сСт (при 25 °С) | 2,7±0,5 |
| Массовая доля сухого остатка, % масс. | 3,0±0,5 |
Полимерные основы
для i-, g-, h-line фоторезистов
Применение
Изготовление светочувствительных фоторезистивных, в том числе высокого разрешения и теплостойких, композиций, применяемых в i-, g-, h-line фотолитографии.
Характеристики
| Показатель, ед. изм. | Норма* |
|---|---|
| Среднемассовая молекулярная масса (Mw), Да | 5000–20000 |
| Показатель полидисперсности (Pd) | 2–8 |
| Устойчивость к проявителю, с, не менее | 60–240 (0,6% раствор КОН) |
| Содержание микропримесей металлов (Na, Fe, Ca, Cu, Mg, Mn, K), ppb, не более | 800 |
| Содержание свободного фенола, % масс., не более | 1 |
| Содержание влаги, % масс., не более | 1 |
*конкретные характеристики полимерной основы могут быть скорректированы по согласованию с заказчиком
Фотогенераторы кислоты
Для фоторезистов с химическим усилением
Применение
Изготовление фоторезистов с химическим усилением, использующихся в процессах ArF- и/или KrF-фотолитографии.
Характеристики
| Показатель, ед. изм. | NBD-Tfb | MeOPh-S-Nf | btBuPh-I-Nf |
|---|---|---|---|
| Внешний вид | Бесцветные кристаллы без запаха | Бесцветные кристаллы без запаха | Бесцветные кристаллы без запаха |
| Максимум светопоглощения (диапазон), нм | 225–250 | 225–275 | 230–250 |
| Коэффициент экстинкции в основной полосе поглощения | >103 | >104 | >104 |
| Чистота | Не менее 98% | Не менее 99% | Не менее 99% |
| Температура плавления, °С | 90–92 | n/a | 175–177 |
Резисты
для электронно-лучевой и взрывной литографии
Применение
Формирование изображения с использованием электронно-лучевой литографии.
Характеристики
Серия ПММА 495
| Показатель, ед. изм. | ПММА 495 А4 | ПММА 495 А5 | ПММА 495 С7 |
|---|---|---|---|
| Внешний вид пленки | Сплошная, блестящая, без разрывов, пузырей, вздутий, отслоений и посторонних включений, видимых невооруженным глазом | ||
| Вязкость при 25 °С, мм²/с | 14±2 | 23±3 | 38±6 |
| Толщина пленки при 3000 об/мин, мкм | 0,19±0,03 | 0,28±0,05 | 0,75±0,15 |
| Минимальный размер элемента при ускоряющем напряжении 20 кВ, нм, не более | 100 | 100 | 100 |
Серия ПММА 950
| Показатель, ед. изм. | ПММА 950 А2 | ПММА 950 А4 | ПММА 950 С9 |
|---|---|---|---|
| Внешний вид пленки | Сплошная, блестящая, без разрывов, пузырей, вздутий, отслоений и посторонних включений, видимых невооруженным глазом | ||
| Вязкость при 25 °С, мм²/с | 10,8±1,8 | Не более 454 | 97±51 |
| Толщина пленки при 3000 об/мин, мкм | 0,075±0,02 | 0,23±0,035 | 1,75±0,25 |
| Минимальный размер элемента при ускоряющем напряжении 20 кВ, нм, не более | 100 | 150 | 200 |
Серия ММА-МАК 8,5
| Показатель, ед. изм. | ММА-МАК 8,5 ЭЛ-9 | ММА-МАК 8,5 ЭЛ-11 | ММА-МАК 8,5 ЭЛ-12 |
|---|---|---|---|
| Внешний вид пленки | Сплошная, блестящая, без разрывов, пузырей, вздутий, отслоений и посторонних включений, видимых невооруженным глазом | ||
| Вязкость при 25 °С, мм²/с | Не более 50 | Не более 80 | Не более 140 |
| Толщина пленки при 3000 об/мин, мкм | 0,37±0,15 | 0,55±0,15 | 0,6±0,06 |
| Минимальный размер элемента при ускоряющем напряжении 20 кВ, нм, не более | 300 | 300 | 300 |
C-001
Материал для смазывания пресс-форм
Применение
Смазка формообразующей оснастки, используемой в технологии корпусирования микросхем в многовыводные полимерные корпуса методом литьевого прессования.
Характеристики
| Показатель, ед. изм. | Норма |
|---|---|
| Внешний вид | Однородная таблетка серого цвета без сгустков и посторонних включений |
| Спиральный поток при 175 °С, см | 100–180 |
| Давление при опрессовке, кг/см² | 70–150 |
| Температура опрессовки, °С | 150–190 |
O-001
Материал для очистки пресс-форм
Применение
Очистка и первичная смазка формообразующей оснастки, используемой в технологии корпусирования микросхем в многовыводные полимерные корпуса методом литьевого прессования. Растворяет и удаляет смолы, смазки, масла, силикон и другие загрязнения, которые могут повредить формованным деталям и повлиять на срок службы пресс-формы.
Характеристики
| Показатель, ед. изм. | Норма |
|---|---|
| Внешний вид | Однородная таблетка белого цвета без сгустков и посторонних включений |
| Спиральный поток при 175 °С, см | 60–110 |
| Время затвердевания (гелеобразования), с | 30–120 |
3-001
Материал для заливки подкристального пространства
Применение
Заполнение пространства между кристаллом и подложкой высокопроизводительных микросхем в многовыводных полимерных корпусах типа FC-BGA.
Характеристики
| Показатель, ед. изм. | Норма |
|---|---|
| Внешний вид | Вязкая смола черного цвета |
| Содержание (массовая доля) наполнителя, % | 60-70 |
| Время гелеобразования при температуре 150°С, мин | 4-16 |
| Изгибающее напряжение при разрушении, МПа | 140-150 |
| Динамическая вязкость при температуре 25°С, Па·с | 15-60 |
Г-001
Материал для герметизации микросхем
Применение
Герметизация (корпусирование) многовыводных микросхем в пластиковые корпуса методом литьевого прессования.
Характеристики
| Показатель, ед. изм. | Норма |
|---|---|
| Внешний вид | Таблетки черного цвета |
| Время затвердевания (гелеобразования), с | 20–45 |
| Модуль упругости при изгибе, ГПа | 18,0–27,0 |
| Спиральный поток (175°С), см | 100–190 |
| Температура стеклования, °С | 125–135 |
| Содержание наполнителя (массовая доля), % не менее | 85 |
Эпоксидный олигомер
на основе 3,3’,5,5’-тетраметилбифенил-4,4’-диола
Применение
Компонент связующего для получения герметизирующих материалов (Г-001 и подобных). Может быть использован для получения теплостойких полимерных композиционных материалов различного назначения.
Характеристики
| Показатель, ед. изм. | Норма |
|---|---|
| Внешний вид | Порошок от бледно-жёлтого до бледно-бежевого |
| Температура плавления, °С | 106-111 |
| Температура кипения, °С | 465-475 |
| Плотность, г/см³ | 1,141-1,155 |
| Содержание влаги, %, не более | 0,7 |
Меламинофенолформальдегидная смола
Компонент связующего
Применение
Компонент связующего для получения очищающего материала О-001. Может быть использована в качестве связующего в полимерных композиционных и лакокрасочных материалах.
Характеристики
| Показатель, ед. изм. | Норма |
|---|---|
| Внешний вид | Порошок белого цвета |
| Температура размягчения, °С | 95–112* |
| Среднемассовая молекулярная масса Мw | 1500–6500** |
| Содержание влаги, %, не более | 1,5 |
*Разработана серия смол со свойствами в указанном диапазоне
**Возможно получение данного олигомера в виде водного раствора с массовой долей нелетучих веществ 62-68% масс
Абразивная суспензия
на основе нанопорошков пиролитического SiO₂
Применение
Используется для химико-механической планаризации барьерного слоя (Ta/TaN) с целью его выравнивания (удаление неровностей) при изготовлении структур интегральных схем и других микроэлектронных устройств.
Характеристики
| Показатель, ед. изм. | Норма |
|---|---|
| Сухой остаток, % масс. | 10±5 |
| pH | 10±1,5 |
| Средний диаметр взвешенных частиц, нм | 50±30 |
| Плотность, г/см³ | 1,1±0,1 |
| Вязкость, сП | 1,5±0,5 |
| Массовая доля по каждому из элементов Al, Ca, Na, Cu, Fe, Mg, Mn, Li, Zn, Ni, Pb, Ag, Ti, Cr, ppb, не более | 50-100 |
Контакты отдела полимеров и композиционных материалов
к.х.н Малков Георгий Васильевич, gmalkov@icp.ac.ru
к.х.н Курбатов Владимир Геннадьевич, kurbatovvg@list.ru
к.т.н Пахомов Кирилл Сергеевич, pahomov_kirill_sp@mail.ru
к.х.н Тарасов Александр Евгеньевич, atarasov@icp.ac.ru
к.х.н Аккуратов Александр Витальевич, akkuratow@yandex.ru
Разработка и микротоннажное производство литографических материалов на базе ФИЦ ПХФ и МХ РАН
На площадке ФИЦ ПХФ и МХ РАН – крупнейшего материаловедческого центра Российской академии и опорной научной организации по литографическим материалам для существующих и новых технологий – планируется создать первый в России ЦЕНТР МАЛОТОННАЖНОЙ ХИМИИ (ЦМХ).
|
Функциональные материалы для микроэлектроники / Фотолитография
Иринол-25Поверхностно-активное вещество для литографических материалов ПрименениеДля изготовления безметального проявителя на основе тетраметиламмоний гидроксида (ТМАГ), фоторезистов и антиотражающих покрытий, применяемых в процессах фотолитографии.
Разработано совместно с АО «НИИМЭ»
Характеристики
Мономерыдля полимерных основ фоторезистов с химическим усилением ПрименениеИзготовление полимерных основ отечественных фоторезистов с химическим усилением, использующихся в процессах ArF-фотолитографии.
Разработано совместно с АО «НИИМЭ», ООО «Поликетон»
Характеристики
ФоторезистыМатериалы для процессов фотолитографии ПрименениеПолучение в процессе фотолитографии необходимого рисунка (линий, окон и т.п. в слое фоторезиста) для проведения операций легирования, металлизации или травления поверхности обрабатываемого материала.
Разработано совместно с АО «НИИМЭ», АО «НИОПИК», ООО «Поликетон» и АО «МИКРОН»
Характеристики
Антиотражающие покрытияПоглощающее покрытие для процессов фотолитографии ПрименениеПоглощающее покрытие, наносимое под плёнку фоторезиста для снижения отражения света от поверхности подложки с целью борьбы с негативными эффектами, вызванными интерференцией (стоячими волнами), рассеянием и переотражением.
Разработано совместно с АО «НИИМЭ», АО «НИОПИК», ООО «Поликетон» и АО «МИКРОН»
Характеристики
Полимерные основыдля i-, g-, h-line фоторезистов ПрименениеИзготовление светочувствительных фоторезистивных, в том числе высокого разрешения и теплостойких, композиций, применяемых в i-, g-, h-line фотолитографии.
Разработано совместно с АО «НИОПИК»
Характеристики
*конкретные характеристики полимерной основы могут быть скорректированы по согласованию с заказчиком Фотогенераторы кислотыДля фоторезистов с химическим усилением ПрименениеИзготовление фоторезистов с химическим усилением, использующихся в процессах ArF- и/или KrF-фотолитографии.
Разработано совместно с АО «НИИМЭ», АО «НИОПИК», ООО «Поликетон» и АО «МИКРОН»
Характеристики
Электронно-лучевая литография
Резистыдля электронно-лучевой и взрывной литографии ПрименениеФормирование изображения с использованием электронно-лучевой литографии. Разработано совместно с ИПТМ РАН
ХарактеристикиСерия ПММА 495
Серия ПММА 950
Серия ММА-МАК 8,5
Корпусирование
C-001Материал для смазывания пресс-форм ПрименениеСмазка формообразующей оснастки, используемой в технологии корпусирования микросхем в многовыводные полимерные корпуса методом литьевого прессования. Разработано совместно с НИУ МИЭТ и АО «Институт пластмасс им. Г.С. Петрова»
Характеристики
O-001Материал для очистки пресс-форм ПрименениеОчистка и первичная смазка формообразующей оснастки, используемой в технологии корпусирования микросхем в многовыводные полимерные корпуса методом литьевого прессования. Растворяет и удаляет смолы, смазки, масла, силикон и другие загрязнения, которые могут повредить формованным деталям и повлиять на срок службы пресс-формы. Разработано совместно с НИУ МИЭТ
Характеристики
3-001Материал для заливки подкристального пространства ПрименениеЗаполнение пространства между кристаллом и подложкой высокопроизводительных микросхем в многовыводных полимерных корпусах типа FC-BGA. Разработано совместно с НИУ МИЭТ и АО «Институт пластмасс им. Г.С. Петрова»
Характеристики
Г-001Материал для герметизации микросхем ПрименениеГерметизация (корпусирование) многовыводных микросхем в пластиковые корпуса методом литьевого прессования. Разработано совместно с НИУ МИЭТ и АО «Институт пластмасс им. Г.С. Петрова»
Характеристики
Эпоксидный олигомерна основе 3,3’,5,5’-тетраметилбифенил-4,4’-диола ПрименениеКомпонент связующего для получения герметизирующих материалов (Г-001 и подобных). Может быть использован для получения теплостойких полимерных композиционных материалов различного назначения. Разработано в ФИЦ ПХФ и МХ РАН
Характеристики
Меламинофенолформальдегидная смолаКомпонент связующего ПрименениеКомпонент связующего для получения очищающего материала О-001. Может быть использована в качестве связующего в полимерных композиционных и лакокрасочных материалах. Разработано в ФИЦ ПХФ и МХ РАН
Характеристики
*Разработана серия смол со свойствами в указанном диапазоне
Планаризация
Абразивная суспензияна основе нанопорошков пиролитического SiO₂ ПрименениеИспользуется для химико-механической планаризации барьерного слоя (Ta/TaN) с целью его выравнивания (удаление неровностей) при изготовлении структур интегральных схем и других микроэлектронных устройств.
Разработано совместно с АО «НИИМЭ»
Характеристики
Контакты отдела полимеров и композиционных материалов
Исследования и разработки Отдела полимеров и композиционных материалов, сотрудничество:
к.х.н Малков Георгий Васильевич, gmalkov@icp.ac.ru
Исследования и разработки, приобретение резистивных материалов и полимеров:
к.х.н Курбатов Владимир Геннадьевич, kurbatovvg@list.ru
Исследования и разработки, приобретение материалов для корпусирования:
к.т.н Пахомов Кирилл Сергеевич, pahomov_kirill_sp@mail.ru
Исследования и разработки, приобретение поверхностно-активных веществ:
к.х.н Тарасов Александр Евгеньевич, atarasov@icp.ac.ru
Исследования и разработки, приобретение фотогенераторов кислоты и мономеров:
к.х.н Аккуратов Александр Витальевич, akkuratow@yandex.ru Разработка и микротоннажное производство литографических материалов на базе ФИЦ ПХФ и МХ РАННа площадке ФИЦ ПХФ и МХ РАН – крупнейшего материаловедческого центра Российской академии и опорной научной организации по литографическим материалам для существующих и новых технологий – планируется создать первый в России ЦЕНТР МАЛОТОННАЖНОЙ ХИМИИ (ЦМХ).
2 530,9 м²
общая площадь (после реконструкции)
~1000 м²
площадь чистых производственных помещений (классы ИСО 5-8)
2,7 млрд руб.
инвестиции
> 40
новых рабочих мест
1 млрд руб./год
плановый оборот к 2033 г.
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||