Назначение: Импульсные методы позволяют измерять времена спин-спиновой и спин-решеточной релаксации, расшифровывать сложные спектры ЭПР неоднородных систем, используя различие их динамических характеристик, оценивать расстояния между парамагнитными центрами, между парамагнитным ионом и окружающими ядрами и многое другое. Характеристики: •Рабочая частота (X-диапазон): 9,2…9,9 ГГц •Число импульсных каналов: 8 шт. •Мощность СВЧ генератора:источник волн (700мВт),волновод(200мВт) •Выходная мощность твердотельного усилителя мощности: 450 Вт •Ослабление мощности микроволнового излучения: 0…60 дБ, шаг 1 дБ •Резонаторы: цилиндрический TE011, диэлектрический TE011 CW-режима, диэлектрический импульсного режима, •Амплитуда модуляции магнитного поля: 0…20 Гс •Максимальное магнитное поле: 1,8 Тл •Частота модуляции магнитного поля: 6,25-100 кГц •Абсолютная чувствительность: 3*1013 спин/Тл •Интервал регулируемых температур: 4…300 К •Разрешение времени импульса микроволнового источника: 50 пс •Минимальная длина импульса π/2: 8 нс |
Назначение:
Импульсные методы позволяют измерять времена спин-спиновой и спин-решеточной релаксации, расшифровывать сложные спектры ЭПР неоднородных систем, используя различие их динамических характеристик, оценивать расстояния между парамагнитными центрами, между парамагнитным ионом и окружающими ядрами и многое другое.
Характеристики:
•Рабочая частота (X-диапазон): 9,2…9,9 ГГц
•Число импульсных каналов: 8 шт.
•Мощность СВЧ генератора:источник волн (700мВт),волновод(200мВт)
•Выходная мощность твердотельного усилителя мощности: 450 Вт
•Ослабление мощности микроволнового излучения: 0…60 дБ, шаг 1 дБ
•Резонаторы: цилиндрический TE011, диэлектрический TE011 CW-режима, диэлектрический импульсного режима,
•Амплитуда модуляции магнитного поля: 0…20 Гс
•Максимальное магнитное поле: 1,8 Тл
•Частота модуляции магнитного поля: 6,25-100 кГц
•Абсолютная чувствительность: 3*1013 спин/Тл
•Интервал регулируемых температур: 4…300 К
•Разрешение времени импульса микроволнового источника: 50 пс
•Минимальная длина импульса π/2: 8 нс