Прибор обеспечивает высокое пространственное разрешение до 200 нм по горизонтали и 500 нм по оси, работая в широком спектральном диапазоне: 785 нм (50–3700 см⁻¹), 633 нм.
Одновременный многофункциональный анализ: Рамановские измерения; люминесцентные измерения; измерения лазерного отражения и пропускания; трехмерные (3D) высококонтрастные изображения в отраженном свете; трехмерные (3D) Рамановские конфокальные измерения; информация о спектральных и поляризационных свойствах образцов.
Области применения:
Анализ химического состава и физической структуры функциональных материалов, наноструктур и гетероструктур;
Идентификация материалов, определение фазового состава и распределения фаз;
Исследование напряжений, деформаций и упорядоченности кристаллической структуры;
Контроль процессов нанесения покрытий и их анализ.

Вертикальный дифрактометр ARL X’TRA (theta:theta) предназначен для рентгенофазового анализа порошковых и плоскопараллельных образцов. Гониометр с неподвижной пробой обеспечивает работу с трудными объектами (порошки, жидкости). Точность позиционирования ±0.00025°, диапазон 2θ: от -8° до 160°. Мощность рентгеновской трубки (Cu) — до 2 кВт. Полупроводниковый детектор с низким фоном (<0.1 имп/с) и высокой скоростью счета (50 000 имп/с). Функции анализа: идентификация фаз, уточнение параметров ячейки, определение размера кристаллитов и степени кристалличности.

Монокристальный дифрактометр P4 (Bruker) с эйлеровской геометрией предназначен для рентгеноструктурного анализа. Обеспечивает определение и уточнение элементарной ячейки, симметрии, сбор и обработку массивов данных для расшифровки кристаллических структур. Комплектуется рентгеновской трубкой Mo (2000 Вт), графитовым монохроматором, сцинтилляционным детектором и низкотемпературной азотной приставкой (диапазон: от -173°C до -30°C).

Конфокальный сканирующий лазерный микроскоп Optelics Hybrid (Lasertec Corporation, 2021 г.) представляет собой многофункциональную аналитическую систему с двумя комплектами оптики (лазер 405 нм и источник белого света). Прибор обеспечивает получение конфокальных изображений с широким полем обзора и высоким разрешением с выбором из 6 длин волн, наблюдение в реальном времени, наноразмерные измерения высот в миллиметровом поле обзора интерференционными методами, измерение толщин прозрачных плёнок от 1 мкм методом спектроскопической рефлектрометрии, а также 2D/3D анализ шероховатости по стандартам ISO/JIS. Технические характеристики включают: точность измерений XY ±[0.02*(100/Увеличение)+L/1000] мкм, воспроизводимость 10 нм; точность по оси Z ±(0.11+L/100) мкм, воспроизводимость 10 нм, диапазон измерений 7 мм. Источники излучения: ксеноновая лампа и полупроводниковый лазер 405 нм.

Предназначен для детального исследования микроструктуры и топографии поверхности материалов. Прибор обеспечивает эффективное увеличение до ×50 000, что позволяет проводить детальный анализ поверхности с высоким разрешением. Диапазон ускоряющего напряжения от 1 до 30 кВ (с шагом 1 кВ) обеспечивает гибкость при работе с различными типами материалов, включая непроводящие образцы.
Микроскоп оснащен вольфрамовой электронной пушкой, которая обеспечивает стабильный электронный пучок, и детектором вторичных электронов для получения четких изображений с высоким контрастом. Благодаря компактной настольной конструкции микроскоп сочетает в себе производительность полноразмерных систем с простотой эксплуатации.

Представляет собой многофункциональную систему для анализа краевого угла смачивания и исследования поведения жидкостей на поверхностях. Прибор обеспечивает прецизионные измерения статических и динамических краевых углов, определение поверхностной энергии твердых тел, измерение поверхностного натяжения жидкостей и межфазного натяжения на границе раздела фаз. Специализированные модули позволяют анализировать форму ламели, изучать реологические свойства методом осцилляции и релаксации капли. Комплексное программное обеспечение поддерживает автоматический расчет параметров, что делает систему идеальным решением для исследований в области поверхностных явлений, разработки материалов и контроля качества в научных и промышленных применениях.

Система предназначена для высокоточной поверхностной модификации материалов. Оборудование оснащено иттербиевым волоконным лазером с длиной волны 1030 нм, длительностью импульсов 250 фс и максимальной выходной мощностью 10 Вт. Система обеспечивает частоту следования импульсов в диапазоне от 1 Гц до 1 МГц, что позволяет гибко настраивать параметры обработки под различные материалы и задачи.
Гальваносканер с полем обработки 110×110 мм и скоростью сканирования до 11 м/с обеспечивает высокую производительность и точность позиционирования луча (диаметр пятна ~30 мкм). Возможность установки 2-й и 3-й гармоник расширяет диапазон рабочих длин волн, что делает систему универсальным инструментом для прецизионной лазерной абляции, микроструктурирования поверхности и создания функциональных покрытий на различных материалах.

Просвечивающий электронный микроскоп с ускоряющим напряжением 200 кВ, разрешающей способностью по точкам 2,5 ангстрема, по линиям – 1,02 ангстрема. В комплекте микроскопа имеются: гониометрическая головка, ПЗС-камера для регистрации изображений, приставка энергодисперсионного анализа для определения химического состава образцов, приставка просвечивающе-растрового режима, широкоугловой детектор тёмного поля для получения изображений с Z-контрастом.

Прибор предназначен для решения большого спектра задач в материаловедении, таких как: получение микроскопических изображений в электронных и ионных пучках c высококим разрешением, в том числе в низковольном режиме и режиме торможения пучка, локальное травление и приготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии, благодаря наличию четырех типов детекторов позволяет получать изображения в разных контрастах в режиме реального времени, а также решение задач ионной литографии. Содержит электронную и ионную колонны, системы для локального напыления и штатный манипулятор EasyLift.